Тест 1 "Электропроводность полупроводников" 

Тест 2 "Электрические переходы" 

Тест 3 "Полупроводниковые диоды" 

Тест 4 "Выпрямители"  

Тест 5 "Биполярные транзисторы"  

Тест 6 "Полевые транзисторы" 

Тест 7 "Усилители переменного тока" 

Тест 8 "Усилители постоянного тока"

Тест 9 "Тиристоры" 

Тест 10 "Оптоэлектронные полупроводниковые приборы" 

1. Укажите, какова форма тока, проходящего через каждый диод мостовой схемы.
2. Максимальное обратное напряжение на диоде равно:
3. Физический смысл параметра h₂₁
4. Соотнесите графическое обозначение биполярного транзистора с его типом
5. Для указанных режимов работы биполярного транзистора указать направление смещения его переходов:
6. Выберите описание h-параметра, представленного приведенной формулой:
7. Какие конструктивные особенности принципиально отличают базу от эмиттера и коллектора транзистора?
8. Определите схему включения транзистора.
9. Для полевого МДП-транзистора с индуцированным n-каналом, включенным по схеме с общим истоком, какой должна быть полярность напряжения на затворе  U_зи и на стоке U_зи
10. Какое влияние на работу МДП-транзистора оказывает рост температуры его структуры?
11. Крутизна характеристики управления полевого транзистора
12. Соотнесите выводы полевого транзистора с их описанием.
13. Как изменится крутизна управляющей характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом, если уменьшить ширину токопроводящего канала?
14. Для полевого транзистора с управляющим p-n-переходом с каналом p-типа, включенным по схеме с общим истоком, какой должна быть полярность напряжения  на затворе U_зи  и на стоке U_си.
15. Для полевого МДП-транзистора со встроенным n-каналом, включенным по схеме с общим истоком, какой должна быть полярность напряжения на затворе U_зи и на стоке U_зи при его работе в режиме обогащения
16. У какого транзистора входное сопротивление максимально
17. Характеристика управления полевого транзистора
18. Угол отсечки для класса усиления В лектором
19. Установите последовательность работы эмиттерной температурной стабилизации положения рабочей точки усилителя
20. Классы усиления, имеющие большие нелинейные искажения усиливаемого сигнала
21. Схемы усилительных каскадов, имеющих коэффициент усиления по току больше единицы
22. Схемы усилительных каскадов имеющие фазовый сдвиг между U_вых и U_вх равный нулю
23. Схемы усилительных каскадов, имеющих коэффициент усиления по напряжению больше единицы
24. Установите последовательность работы коллекторной температурной стабилизации положения рабочей точки усилителя
25. Схема коллекторной температурной стабилизации положения рабочей точки транзистора основана на обратной связи:
26. Режим усиления какого класса имеет максимальные искажения выходного сигнала?
27. Угол отсечки для класса усиления С
28. Угол отсечки для класса усиления А
29. Схема коллекторной температурной стабилизации положения рабочей точки транзистора основана на обратной связи:
30. Коэффициент усиления неинвертирующего усилителя
31. Усилитель постоянного тока усиливает
32. Коэффициент усиления инвертирующего усилителя
33. В усилителях постоянного тока нельзя связывать источник и приемник сигнала через трансформаторы и конденсаторы, потому что:
34. Коэффициент усиления повторителя напряжения
35. Дифференциальные сигналы имеют
36. Выходное напряжение дифференцирующего усилителя
37. Дрейф нуля усилителя постоянного тока это
38. Синфазные сигналы имеют
39. Полупроводниковые приборы, используемые в качестве электронных ключей
40. Сколько p-n-переходов имеет симметричный тиристор?
41. В отличие от диода тиристор:
42. Какой вид будут иметь временные зависимости тока  и напряжения  для представленной схемы и условий включения?
43. Полупроводниковые приборы, имеющие четырехслойную структуру
44. Тиристор работает как динистор
45. Внешний фотоэффект лежит в основе работы приборов (0,50 баллов за эти ответы)
46. Обладает ли фоторезистор вентильным свойством?
47. Установите соответствие между наименованием прибора и его обозначением
48. Установите последовательность процесса усиления тока в фотоэлектрическом умножителе (0,20 балла)
49. Внешний фотоэффект лежит в основе работы приборов
50. Установите соответствие между наименованием прибора и его обозначением
51. Внутренний фотоэффект лежит в основе работы приборов (0,67 баллов)
52. Значение порогового напряжения свечения светодиода определяется: